講座題目：第三代半導(dǎo)體器件和材料發(fā)展與展望

　　主 講 人：郝躍 院士

　　時   間：2018年7月3日下午3：00

　　地   點：中關(guān)村校區(qū)圖書館報告廳

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　　主辦單位：校科協(xié)  信息與電子學(xué)院

　　主講人簡介：

　　郝躍，中國科學(xué)院院士，陜西省九三學(xué)社主任委員，陜西省科學(xué)技術(shù)協(xié)會副主席，西安電子科技大學(xué)學(xué)術(shù)委員會主任，全國政協(xié)委員。他1982年畢業(yè)于西安電子科技大學(xué)半導(dǎo)體物理與器件專業(yè)，1991年在西安交通大學(xué)計算數(shù)學(xué)專業(yè)獲博士學(xué)位。目前是國家中長期規(guī)劃綱要“核心電子器件”科技重大專項的技術(shù)總師，國務(wù)院學(xué)位委員會電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)科評議組召集人。

　　郝躍院士長期從事微電子學(xué)與固體電子學(xué)的科學(xué)研究與人才培養(yǎng)，是國家重大基礎(chǔ)研究(973)計劃項目首席科學(xué)家。在氮化鎵、碳化硅第三代半導(dǎo)體材料、微波毫米波及大功率半導(dǎo)體器件，紫外與深紫外半導(dǎo)體光電器件，以及宇航核心電子器件研究等方面取得了系統(tǒng)的創(chuàng)新成果。主持的科研成果獲得國家技術(shù)發(fā)明獎一項，國家科技進步獎三項，2010年榮獲“何梁何利”科學(xué)技術(shù)獎，2013年當(dāng)選中國科學(xué)院院士。

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