給摩爾定律續(xù)命 EUV光刻暫難當(dāng)大任
發(fā)布日期： 2019-12-18 供稿：科技日報
編輯：吳楠 審核：王征 閱讀次數(shù)：原文標(biāo)題：給摩爾定律續(xù)命 EUV光刻暫難當(dāng)大任
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近年來,，在半導(dǎo)體行業(yè)，極紫外光刻（Extreme Ultra-Violet,，以下簡稱EUV光刻）成為備受眾多企業(yè)關(guān)注的光刻技術(shù)之一,。
前段時間，臺灣積體電路制造股份有限公司宣布,，已采用7納米EUV工藝,。今年，三星公司正式發(fā)布了7納米EUV芯片Exynos 9825,，該公司稱此芯片將晶體管性能提高了20%至30%,，將功耗降低了30%至50%。
之所以備受關(guān)注,，一個重要的原因是,，有傳聞稱，EUV光刻有望成為摩爾定律的“救星”,。
半個多世紀(jì)以來,，半導(dǎo)體行業(yè)按照摩爾定律不斷發(fā)展，由此驅(qū)動了一系列的科技創(chuàng)新,。隨著芯片尺寸越來越逼近物理極限,，摩爾定律在未來是否依舊奏效，成為現(xiàn)在全行業(yè)都在關(guān)注的問題,。
那么,，這項技術(shù)能否為摩爾定律“續(xù)命”？它又是否已經(jīng)到了最好的應(yīng)用節(jié)點,？針對上述問題,，科技日報記者采訪了業(yè)內(nèi)專家。
將電路圖和電子元件“刻”到“底片”上
在認(rèn)識EUV光刻前,，讓我們先來認(rèn)識一下光刻技術(shù),。
“其實，光刻技術(shù)跟照相技術(shù)差不多，照相是將鏡頭里的圖畫‘印’到底片上,，而光刻是將電路圖和電子元件‘刻’到‘底片’上,。”北京理工大學(xué)材料學(xué)院副研究員常帥在接受科技日報記者采訪時介紹道,，在光刻工藝中,，通常以涂滿光敏膠的硅片作為“底片”，電路圖案經(jīng)光刻機(jī),，縮微投射到“底片”上,。制造芯片，要重復(fù)幾十遍這個過程,。
“光刻技術(shù)的主要作用,，就是把芯片上的線路與功能區(qū)做出來?！痹诎雽?dǎo)體行業(yè)工作多年的北京理工大學(xué)材料學(xué)院博士生孟令海對科技日報記者表示,，利用光刻機(jī)發(fā)出的光，通過帶有圖形的光罩,，對涂有光刻膠的薄片進(jìn)行曝光,，光刻膠見光后會發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而使光罩上的圖形印到薄片上,，線路和功能區(qū)隨之顯現(xiàn),。
常帥表示，在芯片加工過程中,，光刻是其中一個重要的步驟,，其甚至被認(rèn)為是集成電路制造中最為關(guān)鍵的步驟，決定著制造工藝的先進(jìn)程度,。
摩爾定律指出,，芯片上可容納的元器件數(shù)目每隔18個月翻1倍，同時芯片性能每隔18個月提高一倍,，而價格下降一半,。
“光刻技術(shù)的‘雕刻’精細(xì)度，直接決定了元器件,、電路等在芯片上所占的體積,。因而，光刻是決定芯片能否按照摩爾定律繼續(xù)發(fā)展的一項重要技術(shù),，如果沒有光刻技術(shù)的進(jìn)步,，芯片制造工藝就不可能從微米進(jìn)入深亞微米再進(jìn)入納米時代?！背浾f,。
孟令海向記者說,，隨著芯片制造工藝由微米級向納米級發(fā)展，光刻機(jī)所采用的光波波長也從近紫外（NUV）區(qū)間的436納米,、365納米,，進(jìn)入深紫外（DUV）區(qū)間的248納米、193納米,。
EUV光源波長為主流光源的1/14
EUV光刻所用的光波,，是波長為13.5納米的極紫外光。相比當(dāng)前主流光刻機(jī)所采用的193納米光源,，EUV光源的波長約為前者的1/14,，這使其能在硅片上“刻”出更細(xì)的痕跡。
“業(yè)內(nèi)形容EUV光刻的精細(xì)程度,，常打的一個比方是,，好比從地球上射出的一縷手電筒光，其能精準(zhǔn)地照到月球上的一枚硬幣,?！泵狭詈Ｕf。
為滿足摩爾定律的要求,，技術(shù)人員一直在研究、開發(fā)新的芯片制造技術(shù),，來縮小線寬并增大芯片的容量,。“線寬是指芯片上最小導(dǎo)線的寬度,，是衡量芯片制作工藝先進(jìn)性的重要指標(biāo)之一,。”常帥說,。
“如今,，芯片制造商大多使用波長為193納米的光刻技術(shù)，用其在‘底片’上‘描繪’出精細(xì)的圖案,。但實際上,，193納米光刻目前已經(jīng)達(dá)到了技術(shù)極限，只能支持80納米的線寬工藝,，無法在芯片上實現(xiàn)更小線寬,。”常帥說,，由于光源更細(xì),，EUV光刻技術(shù)可以滿足22納米及更小線寬的集成電路生產(chǎn)要求。
“可以說,，EUV是目前距離實際生產(chǎn)最近的一種深亞微米光刻技術(shù),。如果采用該光刻技術(shù),，可在芯片上實現(xiàn)10納米以內(nèi)的線寬?！泵狭詈Ｕf,。
摩爾定律不只對性能提出要求，另一個要求是成本的降低,。所以,，“救星”還必須承擔(dān)起省錢的重任。EUV光刻技術(shù)恰好能符合這個要求,。
常帥介紹道,，光刻機(jī)在工作過程中，要頻繁地進(jìn)行曝光,。簡單來說,，就是用光線照射硅片，讓未受掩模遮擋部分的光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng),，這樣才能將石英掩模上的電路圖顯影到硅片上,，以便后續(xù)進(jìn)行刻蝕、去膠等一系列工序,。
“目前,，主流制造商生產(chǎn)1枚芯片，可能需要進(jìn)行4次,，甚至更多次的曝光,。若采用EUV光刻技術(shù)，只需1次曝光就夠了,，這樣就可大幅降低生產(chǎn)制造成本,。”孟令海說,，換句話說,，EUV光刻技術(shù)不僅提升了刻錄的精細(xì)程度，也能讓芯片的價格更便宜,，符合摩爾定律對成本的要求,。
不僅如此，EUV光刻技術(shù)之所以受到各大集成電路生產(chǎn)廠商的關(guān)注,，還因為該光刻技術(shù)是傳統(tǒng)光刻技術(shù)的拓展,，能使現(xiàn)有生產(chǎn)工藝得以延續(xù)。
讓摩爾定律至少再延續(xù)10年
既然EUV光刻技術(shù)好處多多,，這么看來,，為摩爾定律“續(xù)命”的重任，可以放心交給它了,。
然而,，事實并非如此,。
常帥和孟令海介紹，目前來看,，EUV光刻技術(shù)進(jìn)展比較緩慢,。同時，極紫外光刻光學(xué)系統(tǒng)的設(shè)計和制造也極其復(fù)雜,，尚存在許多未被解決的技術(shù)難題,。
據(jù)孟令海分析，EUV光刻技術(shù)目前主要面臨三大挑戰(zhàn),。
“首先是光源效率,，即每小時能‘刻’多少片，按照量產(chǎn)工藝要求,，光刻效率要達(dá)到每小時250片,，而現(xiàn)在EUV光刻效率尚難達(dá)到這一要求，因此還需進(jìn)一步提高,，但實現(xiàn)難度相當(dāng)大,。其次是光刻膠，EUV光刻機(jī)和普通光刻機(jī)的技術(shù)原理不同,，普通光刻機(jī)采用投影進(jìn)行光刻,，而EUV光刻機(jī)則是利用反射光，需要借助反光鏡,，這使得光子和光刻膠的化學(xué)反應(yīng)變得不可控,，有時會出現(xiàn)差錯。最后是光刻機(jī)保護(hù)層的透光材料,，要提高光刻機(jī)的刻錄精度，就需要在其上面增加一個保護(hù)層,，但現(xiàn)有保護(hù)層材料質(zhì)量欠佳,、透光性比較差?！泵狭詈Ｕf,。
此外，據(jù)常帥分析,，EUV光刻工藝的良品率也是阻礙EUV光刻發(fā)展的“絆腳石”,。目前，采用一般光刻機(jī)生產(chǎn)的芯片,，其良品率約為95%,，而EUV光刻機(jī)的良品率僅為70%至80%。
“要想解決這些問題,，關(guān)鍵是要提升市場訂單數(shù)量,，只有訂單多了,，廠商用得多了，才能吸引更多光源,、材料等上下游企業(yè)共同參與研發(fā),，進(jìn)而完善EUV光刻產(chǎn)業(yè)鏈?！背浾f,。
即使在技術(shù)上達(dá)到要求，收益缺乏足夠的吸引力,，也很難讓制造企業(yè)產(chǎn)生應(yīng)用新技術(shù)的動力,。目前看來，采用EUV光刻技術(shù)的生產(chǎn)成本十分高昂,。
資料顯示,，最新的EUV光刻機(jī)價格或超過1億歐元，是常規(guī)193納米光刻機(jī)價格的2倍多,。此外,，由于功率極高，EUV光刻設(shè)備在生產(chǎn)時消耗的電量也遠(yuǎn)超現(xiàn)有同類機(jī)器,。
那么,，目前來看，EUV光刻技術(shù)能為摩爾定律的延續(xù),，起到哪些作用呢,？
孟令海表示，在光刻線條寬度為5納米及以下生產(chǎn)工藝中,，EUV光刻技術(shù)具有不可替代性,，在未來較長一段時間內(nèi)，EUV光刻技術(shù)都可能成為延續(xù)摩爾定律發(fā)展的重要力量,?！耙虼耍绻鉀Q了工藝技術(shù)和制造成本等難題,，EUV光刻設(shè)備將是7納米以下工藝的最佳選擇,，它可讓摩爾定律至少再延續(xù)10年時間?！泵狭詈Ｕf,。
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