北理工教授與合作者實(shí)現(xiàn)硅襯底上單層WS?超強(qiáng)二次諧波定向性發(fā)射
發(fā)布日期：2022-09-30 供稿：前沿交叉科學(xué)研究院
編輯：朱倩云 審核：唐水源 閱讀次數(shù)：二次諧波（SHG）又稱為倍頻效應(yīng),，是一種源于激發(fā)場(chǎng)下的電磁場(chǎng)極化高階項(xiàng)的非線性光學(xué)過程,，其響應(yīng)通常很弱,，需要嚴(yán)苛的相位匹配以及足夠的作用長(zhǎng)度來增強(qiáng)非線性效應(yīng),，這導(dǎo)致非線性器件體積較大,，難以集成,。單層二維過渡金屬硫化物（TMDs）擁有非常高的二階非線性極化張量,，使其成為小型化片上頻率轉(zhuǎn)換器件,、全光互連和光電集成的理想選擇。然而,，受限于單層TMDs亞納米尺寸厚度（~0.8 nm）,，其二次諧波轉(zhuǎn)換效率仍然很低。因此,，使用微納結(jié)構(gòu)增強(qiáng)單層TMD中光與物質(zhì)相互作用,，提高二次諧波轉(zhuǎn)換效率，對(duì)其實(shí)際應(yīng)用尤為重要,。二次諧波方向性出射的實(shí)現(xiàn),，可以提高遠(yuǎn)場(chǎng)光束的利用率，使其能更多地應(yīng)用在硅基超薄倍頻器件,、集成光子學(xué)等領(lǐng)域,。
近日，北京理工大學(xué)前沿交叉科學(xué)研究院黃元教授,，與國(guó)家納米科學(xué)中心劉新風(fēng)研究員和北京大學(xué)張青研究員在ACS Nano上發(fā)表了硅襯底上懸空單層WS2超強(qiáng)二次諧波定向發(fā)射的研究工作,。團(tuán)隊(duì)使用紫外光刻和反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)在SiO2/Si硅襯底上制備出圓孔陣列，通過機(jī)械解理法獲得單層WS2并將其轉(zhuǎn)移到具有孔陣列的硅襯底上,，在這種懸空的WS2中獲得了最大三個(gè)數(shù)量級(jí)的二次諧波增強(qiáng)(圖1),。
圖1. 在帶圓孔陣列的硅襯底上，實(shí)現(xiàn)了單層WS2二次諧波的增強(qiáng)
為驗(yàn)證該方法的可靠性,，作者通過SHG面掃描,，發(fā)現(xiàn)在孔洞位置處樣品的二次諧波普遍獲得增強(qiáng)，如圖2所示,。角分辨結(jié)果表明孔洞樣品處出現(xiàn)了明顯的色散模式,，這表明孔洞與覆蓋的單層WS2形成了Fabry-Pérot微腔結(jié)構(gòu)。進(jìn)一步通過數(shù)值模擬,，發(fā)現(xiàn)相較于無(wú)結(jié)構(gòu)情況,，在微腔結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了約272倍的電場(chǎng)增強(qiáng)。
圖2. FP微腔中電磁場(chǎng)對(duì)二次諧波增強(qiáng)的貢獻(xiàn)
單層WS2在微腔位置有如此巨大的二次諧波增強(qiáng)還與激子態(tài)密度變化有關(guān),。通過擬合單層WS2在微腔上和不在微腔上的吸收光譜,，作者發(fā)現(xiàn)激子態(tài)密度的增加對(duì)SHG增強(qiáng)的貢獻(xiàn)約為3.1倍，如圖3所示,。
圖3. 激子態(tài)密度對(duì)SHG增強(qiáng)的貢獻(xiàn)
通過變激發(fā)波長(zhǎng),，發(fā)現(xiàn)增強(qiáng)因子在激發(fā)波長(zhǎng)為820 nm時(shí)，獲得了1580倍的最大增強(qiáng),，如圖4所示,。圖4a, 4b波長(zhǎng)對(duì)應(yīng)微腔的模式位置。
圖4. 單層WS2在不同波長(zhǎng)激發(fā)下， SHG增強(qiáng)因子的變化趨勢(shì)
通過遠(yuǎn)場(chǎng)成像,，作者發(fā)現(xiàn)由于與FP微腔的共振耦合,，WS2在微腔上的遠(yuǎn)場(chǎng)發(fā)散角僅為5°,，表明微腔結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)二次諧波出射方向性的調(diào)控,，如圖5所示。
圖5. 二次諧波方向性發(fā)射
本工作利用懸空的WS2單層,，證明了SHG發(fā)射的巨大增強(qiáng)和低發(fā)散,通過角分辨光譜,、數(shù)值模擬和吸收光譜分析，證實(shí)SHG增強(qiáng)的機(jī)制源于F-P微腔誘導(dǎo)電場(chǎng)增強(qiáng)和激子更強(qiáng)的振蕩強(qiáng)度,。此外,，獲得了二次諧波發(fā)射的低發(fā)散角（~5°），這歸因于 F-P 微腔的共振,。本工作的研究結(jié)果表明,，通過優(yōu)化二維半導(dǎo)體的制備工藝，可以實(shí)現(xiàn)具有定向性二次諧波增強(qiáng)特性,，為片上超薄倍頻和集成光子學(xué)開辟了道路,。相關(guān)成果以“Giant Enhancement and Directional Second Harmonic Emission from Monolayer WS2 on Silicon Substrate via Fabry-Pérot Micro-Cavity”為題發(fā)表在頂級(jí)國(guó)際期刊ACS Nano上(doi.org/10.1021/acsnano.2c03033,影響因子:18.027), 黃元教授與國(guó)家納米科學(xué)中心劉新風(fēng)研究員、北京大學(xué)張青研究員為共同通訊作者,。該工作得到了國(guó)家自然科學(xué)基金委, 北京市自然科學(xué)基金, 國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃, 中國(guó)科學(xué)院戰(zhàn)略重點(diǎn)研究計(jì)劃和重慶市杰出青年基金等項(xiàng)目的資助,。
原文鏈接：https://pubs.acs.org/doi/full/10.1021/acsnano.2c03033
附作者介紹：
黃元，北京理工大學(xué)前沿交叉科學(xué)研究院教授,，博士生導(dǎo)師,。主要研究領(lǐng)域集中在二維材料的制備、表征,、器件加工和物性測(cè)量/調(diào)控等方向,。在Nature Physics、Nature Communications,、Physical Review Letters,、ACS Nano等共計(jì)發(fā)表SCI論文80余篇，其中第一作者（含共一）及通訊作者文章40余篇,，論文總引用4500余次,。主持國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃（青年項(xiàng)目），主持國(guó)家基金委優(yōu)秀青年基金和面上項(xiàng)目,，重慶市杰出青年基金項(xiàng)目,。2019年入選中科院青促會(huì)會(huì)員，2020年獲中國(guó)科協(xié)“中國(guó)十大科技新銳人物”榮譽(yù)稱號(hào),，2021年獲中國(guó)發(fā)明協(xié)會(huì)發(fā)明創(chuàng)業(yè)獎(jiǎng)創(chuàng)新獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)(排名第一),，2022年獲中國(guó)發(fā)明協(xié)會(huì)創(chuàng)業(yè)獎(jiǎng)成果獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)（排名第二）。擔(dān)任Physical Review Letters，Nature Communications,，Advanced Functional Materials,，ACS Nano, Nano Letters，《物理學(xué)報(bào)》等國(guó)內(nèi)外知名期刊審稿人,；擔(dān)任《物理》《Chinese Physics Letters》《InfoMat》《Materials》期刊青年編委,。
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