【百家大講堂】中國(guó)工程院院士吳漢明作“中國(guó)芯”制造面臨挑戰(zhàn)和機(jī)會(huì)的主題報(bào)告

發(fā)布日期：2020-12-15 供稿：信息與電子學(xué)院校科協(xié) 編輯：王玉國(guó) 審核：胡晗閱讀次數(shù)：

12月14日下午，由北京理工大學(xué)主辦、信息與電子學(xué)院和校科協(xié)共同承辦的北理工“百家大講堂”（第339期）在信息科學(xué)實(shí)驗(yàn)樓202報(bào)告廳舉行。中國(guó)工程院院士吳漢明應(yīng)邀作了“中國(guó)芯”制造面臨挑戰(zhàn)和機(jī)會(huì)的精彩報(bào)告。信息與電子學(xué)院、校科協(xié)負(fù)責(zé)人及師生共200多人參加了本次報(bào)告會(huì)。講座由信息與電子學(xué)院副院長(zhǎng)陳禾主持。

副校長(zhǎng)龍騰為吳漢明院士頒發(fā)了北理工“百家大講堂”紀(jì)念證書(shū)。

吳漢明院士首先介紹了芯片制造的主要工藝流程，隨后從摩爾定律出發(fā)，分析了芯片代工技術(shù)的發(fā)展歷程和面臨的三大挑戰(zhàn)，著重闡述了先進(jìn)光刻工藝技術(shù)的原理和成套工藝技術(shù)能力的重要性。最后，他講解了后摩爾時(shí)代的特征和技術(shù)發(fā)展方向以及我國(guó)芯片制造產(chǎn)業(yè)的機(jī)遇和發(fā)展思路。

吳漢明系統(tǒng)講解了我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)的大背景、瓶頸、技術(shù)方法以及未來(lái)發(fā)展方向，更讓大家感受到了科學(xué)家執(zhí)著的探索精神和深厚的科學(xué)造詣。同時(shí)，也深刻地認(rèn)識(shí)到了在目前復(fù)雜的國(guó)際形勢(shì)下，我國(guó)集成電路領(lǐng)域面臨的多重挑戰(zhàn)。

【主講人簡(jiǎn)介】

吳漢明，中國(guó)工程院院士，浙江大學(xué)微納電子學(xué)院院長(zhǎng)。芯創(chuàng)智（北京）微電子有限公司董事長(zhǎng)。

吳漢明院士，1976年畢業(yè)于中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)；1987年畢業(yè)于中國(guó)科學(xué)院力學(xué)研究所，獲博士學(xué)位。曾在美國(guó)UC-Berkeley進(jìn)行博士后研究，并先后入職Intel、中芯國(guó)際等公司作為技術(shù)骨干從事集成電路制造工藝研發(fā)，曾任中芯國(guó)際研發(fā)副總裁。

吳漢明院士長(zhǎng)期工作在我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)鏈重要環(huán)節(jié)，并作出突出貢獻(xiàn)。主持、指導(dǎo)了包括國(guó)家重大專(zhuān)項(xiàng)的0.13微米至14納米七代芯片工藝研發(fā)，負(fù)責(zé)攻克了包括刻蝕等一系列關(guān)鍵工藝難點(diǎn)，工藝集成后實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。突破了長(zhǎng)期以來(lái)我國(guó)高端芯片工藝完全依賴(lài)進(jìn)口的制約，與世界水平差距明顯縮小。負(fù)責(zé)我國(guó)首臺(tái)刻蝕機(jī)研發(fā)項(xiàng)目的理論工作，并成功產(chǎn)業(yè)化。建立的非平衡低溫等離子體混合模型/整體模型成為工藝?yán)碚撘罁?jù)，并作為教案被世界著名大學(xué)公開(kāi)發(fā)行的教科書(shū)采用。發(fā)表著作論文116篇。授權(quán)發(fā)明專(zhuān)利67項(xiàng)。曾獲得“北京學(xué)者”“十佳全國(guó)優(yōu)秀科技工作者” 和“全國(guó)杰出專(zhuān)業(yè)技術(shù)人才”等榮譽(yù)。作為主要成員，三次獲國(guó)家科技二等獎(jiǎng)，多次獲省部科技獎(jiǎng)。