【百家大講堂】中科院物理所唐云俊博士作 “傳感器生產(chǎn)的薄膜工藝和設(shè)備制造”學(xué)術(shù)報告
發(fā)布日期：2019-11-04 供稿：材料學(xué)院 攝影：材料學(xué)院
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10月30日上午，由研究生院主辦,、材料學(xué)院協(xié)辦的第262期北京理工大學(xué)百家大講堂在中關(guān)村校區(qū)5號教學(xué)樓502-1舉行,，美國AVP科技公司總技術(shù)官、中科院物理所固體物理博士唐云俊作了“傳感器生產(chǎn)的薄膜工藝和設(shè)備制造”的學(xué)術(shù)報告,，材料學(xué)院譚成文老師及相關(guān)專業(yè)師生參加了報告會,。
唐云俊首先對比介紹了傳統(tǒng)機加車間與微納加工FAB的特點與應(yīng)用范圍，隨后圍繞傳感器制備工藝原理,、薄膜沉積和離子刻蝕（IBE）的基本要求與設(shè)備參數(shù)調(diào)節(jié)原則,、設(shè)備系統(tǒng)集成控制軟件三方面進行詳細講解,。唐云俊談到，傳感器制備過程中兩個核心步驟為薄膜的沉積與刻蝕,。他以Cluster PVD薄膜沉積設(shè)備為例,，詳細介紹了基片表面清潔、降低薄膜應(yīng)力,、控制膜厚均勻性,、防范顆粒污染的方法與經(jīng)驗；以Refill 3D薄膜沉積設(shè)備為例講解了反應(yīng)濺射的遲滯效應(yīng),、薄膜特點以及參數(shù)控制,；關(guān)于離子刻蝕機（IBE），他闡述了離子刻蝕的基本原理,、金屬柵網(wǎng)功能,、刻蝕的要求與刻蝕均勻性、速率的控制方法,；最后介紹了設(shè)備集成系統(tǒng)的特點與功能,。
唐云俊詳細解答了老師、同學(xué)們關(guān)于離子刻蝕的離子源選擇,、能量調(diào)控,、靶材制備、設(shè)備對環(huán)境的要求以及離子刻蝕晶體學(xué)選擇性等問題,。唐云俊談到,，光刻機是半導(dǎo)體行業(yè)的核心設(shè)備，但目前我國的自主研發(fā)能力不足,，他鼓勵在座的北理工學(xué)子要將科學(xué)研究與實際應(yīng)用相結(jié)合,，切實解決現(xiàn)實生產(chǎn)過程中遇到的技術(shù)難題，為中國半導(dǎo)體行業(yè)崛起貢獻力量,。
譚成文為唐云俊頒發(fā)了北理工“百家大講堂”紀念證書,，“傳感器生產(chǎn)的薄膜工藝和設(shè)備制造”學(xué)術(shù)報告圓滿結(jié)束。
【主講人簡介】
唐云俊,，為美國AVP科技公司總技術(shù)官,，中科院物理所固體物理博士，是薄膜材料,、半導(dǎo)體工藝和設(shè)備專家,。曾就職于西部數(shù)據(jù)公司任高級研發(fā)工程師，負責寫磁頭薄膜沉積,、刻蝕,，以及器件的工藝合成，制定工藝制度,，發(fā)現(xiàn)并解決器件工藝制備過程中的問題,，精通微納器件制造各種工藝流程,、設(shè)備特性、研發(fā)和制造技術(shù),。在國際期刊發(fā)表50多篇學(xué)術(shù)論文,，并有十多個中、美專利,。曾為美國《Physical Review B》《J. Appl. Phys.》及英國Institute of Physics 期刊雜志審稿人,。
